永久儲(chǔ)存器有哪些，儲(chǔ)存器有哪兩種
1，儲(chǔ)存器有哪兩種2，芯片儲(chǔ)存器有哪些3，儲(chǔ)存器有哪幾類1，儲(chǔ)存器有哪兩種
隨機(jī)存儲(chǔ)器ram和只讀存儲(chǔ)器rom按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)方式分隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫功能分只讀存儲(chǔ)器(rom)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(ram)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。rom ram有硬件的！優(yōu)盤～移動(dòng)硬盤等！軟件有網(wǎng)盤等隨機(jī)存儲(chǔ)器ram和只讀存儲(chǔ)器rom儲(chǔ)存卡，優(yōu)盤
2，芯片儲(chǔ)存器有哪些 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。 磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。 按存儲(chǔ)方式分 隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。 順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。 按存儲(chǔ)器的讀寫功能分 只讀存儲(chǔ)器(rom)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(ram)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。 永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。 按存儲(chǔ)器用途分 根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為主存儲(chǔ)器、輔助存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器、控制存儲(chǔ)器等。 為了解決對(duì)存儲(chǔ)器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。 初中的信息題，應(yīng)該是按照存儲(chǔ)器的讀寫功能分類。 只讀存儲(chǔ)器(rom)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(ram)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。對(duì)ram的尋址是以數(shù)據(jù)單元為單位的，不是以位為單位的，現(xiàn)在還沒有以位為單位進(jìn)行尋址的ram。從上面的分析看，芯片是一個(gè)8位數(shù)據(jù)位寬的ram，那么可尋址的最小單位就是1個(gè)字節(jié)（8位），那么這個(gè)總?cè)萘繛?mbits的ram內(nèi)部一共有1mbit/8bit=128k個(gè)數(shù)據(jù)單元，要對(duì)這128k個(gè)單元進(jìn)行尋址，一共需要17根地址線，至于17這個(gè)數(shù)字是怎么來的，其實(shí)就是2的17次方等于128k。
3，儲(chǔ)存器有哪幾類 一、ram(random access memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) ram的特點(diǎn)是：電腦開機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會(huì)放置其中，并且隨時(shí)可以對(duì)存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會(huì)自動(dòng)清空掉，并且再也無法恢復(fù)。 一、ram(random access memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) ram的特點(diǎn)是：電腦開機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會(huì)放置其中，并且隨時(shí)可以對(duì)存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會(huì)自動(dòng)清空掉，并且再也無法恢復(fù)。 根據(jù)組成元件的不同，ram內(nèi)存又分為以下十八種： 01.dram（dynamic ram，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是最普通的ram，一個(gè)電子管與一個(gè)電容器組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，dram將每個(gè)內(nèi)存位作為一個(gè)電荷保存在位存儲(chǔ)單元中，用電容的充放電來做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。存取時(shí)間和放電時(shí)間一致，約為2~4ms。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器。 02.sram（static ram，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 靜態(tài)，指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長駐其中而不需要隨時(shí)進(jìn)行存取。每6顆電子管組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 03.vram（video ram，視頻內(nèi)存） 它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負(fù)擔(dān)。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個(gè)是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級(jí)顯卡中的高檔內(nèi)存。 04.fpm dram（fast page mode dram，快速頁切換模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 改良版的dram，大多數(shù)為72pin或30pin的模塊。傳統(tǒng)的dram在存取一個(gè)bit的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。而frm dram在觸發(fā)了行地址后，如果cpu需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。fpm將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)pages，從512b到數(shù)kb不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時(shí)，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時(shí)代和pentium時(shí)代的初期， fpm dram被大量使用。 05.edo dram（extended data out dram，延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是繼fpm之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為72pin、168pin的模塊。它不需要像fpm dram那樣在存取每一bit 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè)bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比fpm模式快15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的486系統(tǒng)開始支持edo dram，到96年后期，edo dram開始執(zhí)行。。 06.bedo dram（burst extended data out dram，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是改良型的edo dram，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個(gè)地址計(jì)數(shù)器來追蹤下一個(gè)地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個(gè)數(shù)據(jù)每一個(gè)都只需要一個(gè)周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比edo dram快。但支持bedo dram內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如via apollo vp2），因此很快就被dram取代了。 07.mdram（multi-bank dram，多插槽動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） mosys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個(gè)類別不同的小儲(chǔ)存庫 (bank)，也即由數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成，每個(gè)儲(chǔ)存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機(jī)板用于l2高速緩存中。 08.wram（window ram，窗口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 韓國samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式，是vram內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用edo的資料存取模式,因此速度相對(duì)較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（bitblt），可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。 09.rdram（rambus dram，高頻動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到500~530mb/s，是dram的10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。 10.sdram（synchronous dram，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是一種與cpu實(shí)現(xiàn)外頻clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168pin的內(nèi)存模組，工作電壓為3.3v。 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與cpu同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。 11.sgram（synchronous graphics ram，同步繪圖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） sdram的改良版，它以區(qū)塊block，即每32bit為基本存取單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對(duì)繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（bitblt），效率明顯高于sdram。 12.sb sram（synchronous burst sram，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 一般的sram是非同步的，為了適應(yīng)cpu越來越快的速度，需要使它的工作時(shí)脈變得與系統(tǒng)同步，這就是sb sram產(chǎn)生的原因。 13.pb sram（pipeline burst sram，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） cpu外頻速度的迅猛提升對(duì)與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式sram取代同步爆發(fā)式sram成為必然的選擇，因?yàn)樗梢杂行У匮娱L存取時(shí)脈，從而有效提高訪問速度。 14.ddr sdram（double data rate二倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 作為sdram的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比sdram有一倍的提高；其二，采用了dll（delay locked loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)。這是目前內(nèi)存市場(chǎng)上的主流模式。 15.sldram （synchronize link，同步鏈環(huán)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是一種擴(kuò)展型sdram結(jié)構(gòu)內(nèi)存，在增加了更先進(jìn)同步電路的同時(shí)，還改進(jìn)了邏輯控制電路，不過由于技術(shù)顯
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2，芯片儲(chǔ)存器有哪些 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。 磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。 按存儲(chǔ)方式分 隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。 順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。 按存儲(chǔ)器的讀寫功能分 只讀存儲(chǔ)器(rom)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(ram)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。 永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。 按存儲(chǔ)器用途分 根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為主存儲(chǔ)器、輔助存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器、控制存儲(chǔ)器等。 為了解決對(duì)存儲(chǔ)器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。 初中的信息題，應(yīng)該是按照存儲(chǔ)器的讀寫功能分類。 只讀存儲(chǔ)器(rom)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(ram)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。對(duì)ram的尋址是以數(shù)據(jù)單元為單位的，不是以位為單位的，現(xiàn)在還沒有以位為單位進(jìn)行尋址的ram。從上面的分析看，芯片是一個(gè)8位數(shù)據(jù)位寬的ram，那么可尋址的最小單位就是1個(gè)字節(jié)（8位），那么這個(gè)總?cè)萘繛?mbits的ram內(nèi)部一共有1mbit/8bit=128k個(gè)數(shù)據(jù)單元，要對(duì)這128k個(gè)單元進(jìn)行尋址，一共需要17根地址線，至于17這個(gè)數(shù)字是怎么來的，其實(shí)就是2的17次方等于128k。
3，儲(chǔ)存器有哪幾類 一、ram(random access memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) ram的特點(diǎn)是：電腦開機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會(huì)放置其中，并且隨時(shí)可以對(duì)存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會(huì)自動(dòng)清空掉，并且再也無法恢復(fù)。 一、ram(random access memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) ram的特點(diǎn)是：電腦開機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會(huì)放置其中，并且隨時(shí)可以對(duì)存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會(huì)自動(dòng)清空掉，并且再也無法恢復(fù)。 根據(jù)組成元件的不同，ram內(nèi)存又分為以下十八種： 01.dram（dynamic ram，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是最普通的ram，一個(gè)電子管與一個(gè)電容器組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，dram將每個(gè)內(nèi)存位作為一個(gè)電荷保存在位存儲(chǔ)單元中，用電容的充放電來做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。存取時(shí)間和放電時(shí)間一致，約為2~4ms。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器。 02.sram（static ram，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 靜態(tài)，指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長駐其中而不需要隨時(shí)進(jìn)行存取。每6顆電子管組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 03.vram（video ram，視頻內(nèi)存） 它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負(fù)擔(dān)。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個(gè)是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級(jí)顯卡中的高檔內(nèi)存。 04.fpm dram（fast page mode dram，快速頁切換模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 改良版的dram，大多數(shù)為72pin或30pin的模塊。傳統(tǒng)的dram在存取一個(gè)bit的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。而frm dram在觸發(fā)了行地址后，如果cpu需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。fpm將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)pages，從512b到數(shù)kb不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時(shí)，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時(shí)代和pentium時(shí)代的初期， fpm dram被大量使用。 05.edo dram（extended data out dram，延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是繼fpm之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為72pin、168pin的模塊。它不需要像fpm dram那樣在存取每一bit 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè)bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比fpm模式快15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的486系統(tǒng)開始支持edo dram，到96年后期，edo dram開始執(zhí)行。。 06.bedo dram（burst extended data out dram，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是改良型的edo dram，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個(gè)地址計(jì)數(shù)器來追蹤下一個(gè)地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個(gè)數(shù)據(jù)每一個(gè)都只需要一個(gè)周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比edo dram快。但支持bedo dram內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如via apollo vp2），因此很快就被dram取代了。 07.mdram（multi-bank dram，多插槽動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） mosys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個(gè)類別不同的小儲(chǔ)存庫 (bank)，也即由數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成，每個(gè)儲(chǔ)存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機(jī)板用于l2高速緩存中。 08.wram（window ram，窗口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 韓國samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式，是vram內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用edo的資料存取模式,因此速度相對(duì)較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（bitblt），可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。 09.rdram（rambus dram，高頻動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到500~530mb/s，是dram的10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。 10.sdram（synchronous dram，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是一種與cpu實(shí)現(xiàn)外頻clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168pin的內(nèi)存模組，工作電壓為3.3v。 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與cpu同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。 11.sgram（synchronous graphics ram，同步繪圖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） sdram的改良版，它以區(qū)塊block，即每32bit為基本存取單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對(duì)繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（bitblt），效率明顯高于sdram。 12.sb sram（synchronous burst sram，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 一般的sram是非同步的，為了適應(yīng)cpu越來越快的速度，需要使它的工作時(shí)脈變得與系統(tǒng)同步，這就是sb sram產(chǎn)生的原因。 13.pb sram（pipeline burst sram，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） cpu外頻速度的迅猛提升對(duì)與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式sram取代同步爆發(fā)式sram成為必然的選擇，因?yàn)樗梢杂行У匮娱L存取時(shí)脈，從而有效提高訪問速度。 14.ddr sdram（double data rate二倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 作為sdram的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比sdram有一倍的提高；其二，采用了dll（delay locked loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)。這是目前內(nèi)存市場(chǎng)上的主流模式。 15.sldram （synchronize link，同步鏈環(huán)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是一種擴(kuò)展型sdram結(jié)構(gòu)內(nèi)存，在增加了更先進(jìn)同步電路的同時(shí)，還改進(jìn)了邏輯控制電路，不過由于技術(shù)顯
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