固態(tài)硬盤內(nèi)存條的區(qū)別，人們所說的內(nèi)存條和固態(tài)硬盤作用有什么區(qū)別
1，人們所說的內(nèi)存條和固態(tài)硬盤作用有什么區(qū)別2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別3，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1，人們所說的內(nèi)存條和固態(tài)硬盤作用有什么區(qū)別
內(nèi)存是運行程序用的。固態(tài)硬盤還是硬盤，是存儲程序用的。固態(tài)硬盤就是速度比較快的硬盤而已。和內(nèi)存是兩碼事。內(nèi)存一般是4－8g，固態(tài)硬盤一般在100g以上。這2種存儲顆粒的名稱是rom 和 ram，前置用來做u盤 固態(tài)硬盤 閃存卡這些，后者就是內(nèi)存條 顯存顆粒 高速緩存，2者除了你說的 區(qū)別還有速度 等方面的區(qū)別
2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別 固態(tài)硬盤屬于硬盤，是用來存儲東西的。而內(nèi)存條是用來交換數(shù)據(jù)的。完全兩個性質(zhì)。當你運行程序時，這個程序就放在了硬盤上，運行時是經(jīng)過內(nèi)存數(shù)據(jù)交換才打開的。明白了吧。望采納。內(nèi)存條，是ram，是隨機存儲器，速度極快，但關(guān)機后數(shù)據(jù)全部丟失。 固態(tài)硬盤，材質(zhì)是使用了flashrom，速度沒內(nèi)存快，但關(guān)機后數(shù)據(jù)不丟失。是速度和存儲功能介于內(nèi)存與硬盤之間的東西。 互相不能代替。
3，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少 內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲芯片是非易失性存儲介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不會丟失。nand型閃存為例，它的隨機存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對區(qū)塊進行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標準。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠小于rambus的價格，因為制造普通sdram的設備只需稍作改進就能進行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的，其實速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應該就是沒有個 瓶頸所以有優(yōu)勢，但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -
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3，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少 內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲芯片是非易失性存儲介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不會丟失。nand型閃存為例，它的隨機存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對區(qū)塊進行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標準。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠小于rambus的價格，因為制造普通sdram的設備只需稍作改進就能進行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的，其實速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應該就是沒有個 瓶頸所以有優(yōu)勢，但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -
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