固態(tài)硬盤有緩存與沒有緩存區(qū)別(固態(tài)硬盤有緩存和沒緩存的哪個好)
本文主要介紹固態(tài)硬盤有緩存與沒有緩存區(qū)別(固態(tài)硬盤有緩存和沒緩存的哪個好)，下面一起看看固態(tài)硬盤有緩存與沒有緩存區(qū)別(固態(tài)硬盤有緩存和沒緩存的哪個好)相關(guān)資訊。
按照廠商分類，ssd可分為原廠(閃存廠商自有品牌)和非原廠(其他模塊廠生產(chǎn))。根據(jù)dram緩存的配置，
ssd分為兩種：drambased(帶dram緩存的db)和dramless(不帶dram緩存的dl)。今天為大家?guī)砦蹇頿cie 4.0 1tb ssd評測。db和dl的性價比大戰(zhàn)，誰能笑到最后？
五款測試產(chǎn)品介紹：五款跨評產(chǎn)品中有兩款屬于帶緩存方案的db:三星980 pro是最早的原裝pcie 4.0 ssd，8通道主控，三星第六代v-nand閃存，閃存接口速率1200 mt/s
英瑞達p5 plus采用了美光的8通道flag master和美光的176層堆疊式3d tlc閃存。是最新的原裝pcie 4.0 ssd，flash接口速度1600mt/s，但是讀取速度不到6800 mb/s.
dl方案通常采用四通道設(shè)計，其功耗和溫度低于八通道db方案。雷克沙nm760采用容暉sm2269xt作為主控制器，采用江博龍封裝的美光176層堆疊式3d tlc閃存。
西部數(shù)據(jù)sn770采用sandisk四通道m(xù)aster，112層堆疊bics5 3d tlc閃存。
智泰tiplus7100是最新最特別的一款。它采用四通道無dramless方案，長江存儲新一代tlc閃光粒子，xtacking 3.0架構(gòu)帶來2400 mt/s的高速閃光接口。
由于閃存通道數(shù)量少，dl方案在性能上往往不占優(yōu)勢，通常以中檔產(chǎn)品出現(xiàn)。而下一代2400mt/s flash i/o接口應(yīng)用于有狀態(tài)tiplus7100，彌補了主控flash通道數(shù)量的劣勢。
在性能上，它與db解決方案產(chǎn)品不相上下。
五塊pcie 4.0 1tb ssd全部采用單面pcb布局，質(zhì)保期5年。
以下性能測試分為三類：理論性能測試、模擬場景測試和實際應(yīng)用測試。
理論性能測試：理論性能測試1: crystaldiskmark
crystaldiskmark測試的內(nèi)容主要是100%順序讀取、100%順序?qū)懭搿?00% 4k隨機讀取、100% 4k隨機寫入四種極限狀態(tài)的帶寬。
crystaldiskmark使用1mb塊q8t1和128kb塊q32t1來衡量順序讀寫速度。英銳達p5 plus讀寫速度快1mb block，三星980 pro快128kb block。
西部數(shù)據(jù)的sn770和雷克沙的nm760受到閃存通道數(shù)量的限制，無法全速運行pcie 4.0 x4接口。雖然受驅(qū)動的tiplus7100使用先進的2400mt/s閃存接口，
在四通道環(huán)境下實現(xiàn)比八通道競爭對手更快的讀寫能力。
理論性能測試2:緩存容量和緩沖區(qū)寫入速度
crystaldiskmark只能測試slc緩存內(nèi)的讀寫性能，大家關(guān)心的緩存容量以及緩存外寫入速度可以依靠iometer在空盤無文件系統(tǒng)條件下測得。
在1800秒iometer測試的初始階段可以看到各盤的slc緩存內(nèi)寫入速度：最快的是致態(tài)tiplus7100 1tb的6030mb/s，
其次是三星980 pro 1tb的5140mb/s、英睿達p5 plus 1tb的5130mb/s，最后是西數(shù)sn770 1tb的4905mb/s和雷克沙nm760 1tb的4528mb/s。
空盤條件下slc寫入緩存容量從大到小依次是：西數(shù)sn770的360gb、雷克沙nm760的170gb、致態(tài)tiplus7100的160gb、三星980 pro的120gb和英睿達p5 plus的100gb。
在覆蓋完全盤范圍之后，所有盤都將進入tlc直寫階段，上圖中體現(xiàn)的是完全不受緩存影響的閃存寫入能力。三星980 pro 1tb以2200mb/s排第一，
致態(tài)tiplus7100 1tb以2088mb/s緊隨其后，雷克沙nm760 1tb以1836mb/s排名第三。
英睿達p5 plus 1tb（1715mb/s）和西數(shù)sn770 1tb（1522mb/s）分列第四和第五名。
這五款pcie 4.0 ssd的閃存寫入性能相比pcie 3.0 ssd都有很大的提升。特別是致態(tài)tiplus7100更是以四通道規(guī)格實現(xiàn)了八通道旗艦級的寫入速度，效能表現(xiàn)尤為突出。
理論性能測試3：溫度壓力測試
溫度壓力測試是本次橫評中唯一在被動散熱條件下進行的測試項目，其目的是通過滿負荷讀取考驗ssd在不利散熱條件下的溫控算法。優(yōu)秀的溫控算法應(yīng)該能夠在保障溫度不超過安全范圍的前提下盡可能地減少對性能的影響。
在22度室溫條件下通過iometer 128kb qd32順序讀取施加壓力，hwinfo64每秒記錄溫度及速度數(shù)據(jù)。
三星980 pro的溫控邏輯較為清晰，當閃存溫度達到82度后讀取限速5135mb/s，如果主控溫度達到100度，則讀取限速進一步收緊到1350mb/s。在溫度壓力測試的后半段，
讀取速度基本就是在這兩個溫度之間來回切換。
英睿達p5 plus的主控雖然通過金屬層增強了散熱，但溫度依然比較高。溫度讀數(shù)達到77度后讀取限速1660mb/s，溫度降至72度后解除限速，但由于發(fā)熱量大，
全速讀取只能持續(xù)10秒左右就再次因過熱而限速。
致態(tài)tiplus7100在溫度達到73度后進入限速1（大約5000mb/s），達到75度后進入限速2（大約3758mb/s）。在測試過程中代表閃存溫度的溫度2最高只有69度。
西數(shù)sn770在壓力測試中主控溫度讀數(shù)最高可以達到90度（紅外熱成像觀測實際有110度），是五款ssd當中最高的，但同時也是最晚進入過熱限速狀態(tài)的（除了完全不會過熱限速的雷克沙nm760）。
sn770在溫度讀數(shù)達到90時進入限速，速度波動非常頻繁，始終將溫度讀數(shù)控制在85度到90度之間。
雷克沙nm760是五款ssd當中溫度表現(xiàn)最好的一個，在10分鐘滿載壓力測試過程中沒有發(fā)生過熱限速。nm760使用的復(fù)合材質(zhì)標簽?zāi)軌蚱鸬皆龃笊崦娣e的作用，在這里提供了很大的幫助。
最后綜合對比下五款ssd在10分鐘滿載讀取溫度壓力測試過程中的速度曲線：
從高到低分別是：雷克沙nm760（2998630mb）、致態(tài)tiplus7100（2620372mb）、三星980 pro（2549630mb）、西數(shù)sn770（2308086mb）、英睿達p5 plus（1524770mb）。
模擬場景測試：和理論性能測試不同，模擬場景測試通過記錄-回放原來來評估ssd性能，還原了真實應(yīng)用程序?qū)τ脖P的使用方式，因而具備更高的實用價值。
模擬場景測試1：pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準
pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準針對當代最新固態(tài)硬盤的廣泛測試，涵蓋了系統(tǒng)開機啟動、adobe設(shè)計套件應(yīng)用、office辦公套件應(yīng)用、圖片/iso文件拷貝復(fù)制、多個游戲加載過程等測試內(nèi)容。
pcmark 10最多支持對比四組數(shù)據(jù)，我們采用了分別截圖后再拼接的方式進行展現(xiàn)：
pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準測試成績從高到低分別是：致態(tài)tiplus7100 1tb、西數(shù)sn770 1tb、英睿達p5 plus 1tb、三星980 pro 1tb、雷克沙nm760 1tb。
導(dǎo)出詳細數(shù)據(jù)分項對比：在游戲加載性能環(huán)節(jié)，致態(tài)tiplus7100的表現(xiàn)穩(wěn)居第一，英睿達p5 plus屈居第二。
windows啟動和adobe設(shè)計軟件啟動性能對比：致態(tài)tiplus7100繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，三星980 pro、英睿達p5 plus和西數(shù)sn770則互有勝負，難分高下。
辦公和設(shè)計軟件使用過程：致態(tài)tiplus7100總體上依舊保持優(yōu)勢，第二名的爭奪在英睿達p5 plus和西數(shù)sn770之間展開。
文件拷貝性能：使用全盤slc策略的西數(shù)sn770趁機在寫入項目上撈分，作為唯一一款7400mb/s滿速pcie 4.0 ssd，致態(tài)tiplus7100在大文件讀取性能上一馬當先，
但零碎小文件讀取則表現(xiàn)欠佳。
模擬場景測試2：3dmark存儲性能測試
3dmark存儲基準測試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15：黑色行動4、守望先鋒三款游戲的啟動加載過程、在運行守望先鋒的同時通過obs記錄1080p游戲視頻、從epic平臺安裝天外世界、天外世界游戲進度保存以及將steam游戲反恐精英：全球攻勢從移動硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程，
3dmark存儲基準測試成績從高到低分別是：致態(tài)tiplus7100 1tb、西數(shù)sn770 1tb、英睿達p5 plus 1tb、三星980 pro 1tb、雷克沙nm760 1tb。
分項目對比，致態(tài)tiplus7100在最影響用戶體驗的游戲加載環(huán)節(jié)占據(jù)首位。寫入較多的移動游戲等環(huán)節(jié)則是西數(shù)sn770發(fā)揮其全盤slc策略的大緩存優(yōu)勢，搶到了不少分數(shù)，
因而能夠超越英睿達p5 plus排在第二位。
實際應(yīng)用測試：模擬場景測試的記錄-回放原理要比純讀純寫的理論讀寫性能測試更貼近實際，然而面對當前ssd普遍使用的持久slc緩存算法毫無作用，無論讀取還是寫入都是全程跑在slc緩存內(nèi)，
未能全面反映ssd在實際使用中的情況（寫入可以被緩存，而讀取通常只能從tlc狀態(tài)讀出），還是存在很大的局限性。所以在下面的實際應(yīng)用測試中，我們盡可能地創(chuàng)造符合實際的測試環(huán)境，探尋ssd真實性能表現(xiàn)。
實際應(yīng)用測試1：最終幻想14 benchmark
最終幻想14 benchmark包含了多個游戲場景加載用時測試。首先是有持久slc緩存影響的情況下，所有數(shù)據(jù)都處于slc狀態(tài)。五款ssd當中，致態(tài)tiplus7100是唯一能跑入7秒內(nèi)的。
接下來通過填盤過50%來迫使ssd釋放之前以slc狀態(tài)保存的最終幻想14 benchmark文件數(shù)據(jù)，并重新進行測試。在排除持久slc緩存對讀取性能的影響之后，致態(tài)tiplus7100依然是最快的。
排除slc緩存影響后的最終幻想14 benchmark成績更能體現(xiàn)ssd在實際游戲加載過程中的表現(xiàn)。
實際應(yīng)用測試2：系統(tǒng)盤克隆測試
這項測試使用分區(qū)助手將320gb容量的系統(tǒng)盤（pcie 4.0 2tb旗艦級型號）遷移到目標盤，記錄用時。
由于是空盤測試，采用全盤slc策略、緩存容量高達360gb的西數(shù)sn770占盡優(yōu)勢。其他四款ssd都涉及緩存外寫入，致態(tài)tiplus7100以3分20秒奪得第二，
三星980pro、雷克沙nm760和英睿達p5 plus分列第三四五名。
實際應(yīng)用測試3：文件復(fù)制測試
這項測試是在事先向盤內(nèi)填充477gb數(shù)據(jù)的半盤狀態(tài)下進行，從pcie 4.0 2tb源盤拷貝一個200gb文件寫入到目標盤內(nèi)，記錄文件復(fù)制用時。
在半盤狀態(tài)下五款ssd的可用slc緩存容量均不足200gb，所以復(fù)制后半段都會遇到tlc直寫，甚至是邊釋放邊寫入（西數(shù)sn770）的降速情況。
拷貝用時從短到長依次是致態(tài)tiplus7100、雷克沙nm760、三星980 pro、西數(shù)sn770、英睿達p5 plus。
由于沒有傲騰作為源盤，slc緩存內(nèi)的寫入速度在源盤這邊其實是存在瓶頸的。這個測試只能作為簡單參考，不具備普遍參考價值，僅僅是因為測試方法簡單、測試結(jié)果直觀而被廣泛采用。
前瞻性測試：direct storage硬盤負載模擬測試
在當前的游戲架構(gòu)下，ssd主要影響場景加載，也就是讀條階段的性能。而在游戲過程中，硬盤存取活動很少。
下圖是對最終幻想14 benchmark測試過程的硬盤活動記錄分析：幾個io活動尖峰出現(xiàn)在場景加載時，存取模式以4k隨機讀取為主，并且隊列深度很低，缺少并發(fā)讀取，難以充分發(fā)揮ssd的潛力。
擁有7000mb/s帶寬的pcie 4.0 ssd，4k單線程隨機讀取只有幾十mb/s，同時還會占用大量cpu資源，這樣的傳輸效率自然無法充分發(fā)揮ssd的優(yōu)勢。
在4k乃至8k游戲時代，高精度紋理貼圖的體積將非常大，內(nèi)存及顯存都面臨容量不足的問題。微軟directstorage希望通過將數(shù)據(jù)讀取單元從4kb提高到32kb，
改單線程隨機讀取為多線程、多隊列深度隨機讀取來提高ssd傳輸效率。讓高精度紋理貼圖在游戲進行過程中實時加載，并允許由顯卡直接處理紋理數(shù)據(jù)解壓。目前direct storage api已經(jīng)基本完善，
首個支持direct storage的游戲預(yù)計將在明年初問世。
在這個前瞻性的測試項目中，我們通過iometer來測試32kb區(qū)塊多線程、高隊列深度隨機讀取性能，模擬direct storage游戲?qū)τ脖P的訪問方式。
32kb q128t8隨機讀取4小時測試結(jié)果如下：
雖然nvme協(xié)議理論上可以支持64k個隊列，每個隊列深度可達64k。但實際上相當多的nvme ssd主控并沒有針對多線程qd128隨機讀取進行充分優(yōu)化。從現(xiàn)實出發(fā)，
direct storage游戲也需要考慮大眾硬件水平，應(yīng)該會避免讓ssd滿載以免系統(tǒng)背景讀寫io卡頓。
預(yù)計初期的direct storage游戲?qū)τ脖P的讀寫壓力應(yīng)該不會超過32kb qd32t2這種水平：
當然，direct storage目前還沒有實際應(yīng)用，我們也無法準確預(yù)測在未來游戲中全高畫質(zhì)對ssd性能的需求有多高。
direct storage是從xbox velocity architecture移植到windows而來，以xbox series x內(nèi)置ssd的性能來看，
大多數(shù)pcie 4.0 ssd應(yīng)該不會有問題。
總結(jié)：
本次測試的五款ssd各有特色，英睿達p5 plus據(jù)猜測是使用7+1p的rain冗余而影響了性能并導(dǎo)致主控發(fā)熱量巨大，但理論上能提供比較好的數(shù)據(jù)保護能力。
雷克沙nm760具備高達1000tbw的寫入耐久度指標，復(fù)合材質(zhì)標簽的降溫效果也不錯。西數(shù)sn770的單顆粒布局放寬了主控的溫度上限。作為最早上市的原廠pcie 4.0 ssd，
三星980 pro老當益壯，在模擬direct storage前瞻性測試中收獲不俗的成績，也說明了其具有扎實的硬件基礎(chǔ)。
saturation概念指引下的長江存儲tiplus7100以晶棧xtacking 3.0技術(shù)為依托，充分發(fā)揮2400mt/s高速閃存接口優(yōu)勢，
在主流級價位提供7400mb/s滿速pcie 4.0旗艦性能，吹響了搶占性能制高點的號角。
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英瑞達p5 plus采用了美光的8通道flag master和美光的176層堆疊式3d tlc閃存。是最新的原裝pcie 4.0 ssd，flash接口速度1600mt/s，但是讀取速度不到6800 mb/s.
dl方案通常采用四通道設(shè)計，其功耗和溫度低于八通道db方案。雷克沙nm760采用容暉sm2269xt作為主控制器，采用江博龍封裝的美光176層堆疊式3d tlc閃存。
西部數(shù)據(jù)sn770采用sandisk四通道m(xù)aster，112層堆疊bics5 3d tlc閃存。
智泰tiplus7100是最新最特別的一款。它采用四通道無dramless方案，長江存儲新一代tlc閃光粒子，xtacking 3.0架構(gòu)帶來2400 mt/s的高速閃光接口。
由于閃存通道數(shù)量少，dl方案在性能上往往不占優(yōu)勢，通常以中檔產(chǎn)品出現(xiàn)。而下一代2400mt/s flash i/o接口應(yīng)用于有狀態(tài)tiplus7100，彌補了主控flash通道數(shù)量的劣勢。
在性能上，它與db解決方案產(chǎn)品不相上下。
五塊pcie 4.0 1tb ssd全部采用單面pcb布局，質(zhì)保期5年。
以下性能測試分為三類：理論性能測試、模擬場景測試和實際應(yīng)用測試。
理論性能測試：理論性能測試1: crystaldiskmark
crystaldiskmark測試的內(nèi)容主要是100%順序讀取、100%順序?qū)懭搿?00% 4k隨機讀取、100% 4k隨機寫入四種極限狀態(tài)的帶寬。
crystaldiskmark使用1mb塊q8t1和128kb塊q32t1來衡量順序讀寫速度。英銳達p5 plus讀寫速度快1mb block，三星980 pro快128kb block。
西部數(shù)據(jù)的sn770和雷克沙的nm760受到閃存通道數(shù)量的限制，無法全速運行pcie 4.0 x4接口。雖然受驅(qū)動的tiplus7100使用先進的2400mt/s閃存接口，
在四通道環(huán)境下實現(xiàn)比八通道競爭對手更快的讀寫能力。
理論性能測試2:緩存容量和緩沖區(qū)寫入速度
crystaldiskmark只能測試slc緩存內(nèi)的讀寫性能，大家關(guān)心的緩存容量以及緩存外寫入速度可以依靠iometer在空盤無文件系統(tǒng)條件下測得。
在1800秒iometer測試的初始階段可以看到各盤的slc緩存內(nèi)寫入速度：最快的是致態(tài)tiplus7100 1tb的6030mb/s，
其次是三星980 pro 1tb的5140mb/s、英睿達p5 plus 1tb的5130mb/s，最后是西數(shù)sn770 1tb的4905mb/s和雷克沙nm760 1tb的4528mb/s。
空盤條件下slc寫入緩存容量從大到小依次是：西數(shù)sn770的360gb、雷克沙nm760的170gb、致態(tài)tiplus7100的160gb、三星980 pro的120gb和英睿達p5 plus的100gb。
在覆蓋完全盤范圍之后，所有盤都將進入tlc直寫階段，上圖中體現(xiàn)的是完全不受緩存影響的閃存寫入能力。三星980 pro 1tb以2200mb/s排第一，
致態(tài)tiplus7100 1tb以2088mb/s緊隨其后，雷克沙nm760 1tb以1836mb/s排名第三。
英睿達p5 plus 1tb（1715mb/s）和西數(shù)sn770 1tb（1522mb/s）分列第四和第五名。
這五款pcie 4.0 ssd的閃存寫入性能相比pcie 3.0 ssd都有很大的提升。特別是致態(tài)tiplus7100更是以四通道規(guī)格實現(xiàn)了八通道旗艦級的寫入速度，效能表現(xiàn)尤為突出。
理論性能測試3：溫度壓力測試
溫度壓力測試是本次橫評中唯一在被動散熱條件下進行的測試項目，其目的是通過滿負荷讀取考驗ssd在不利散熱條件下的溫控算法。優(yōu)秀的溫控算法應(yīng)該能夠在保障溫度不超過安全范圍的前提下盡可能地減少對性能的影響。
在22度室溫條件下通過iometer 128kb qd32順序讀取施加壓力，hwinfo64每秒記錄溫度及速度數(shù)據(jù)。
三星980 pro的溫控邏輯較為清晰，當閃存溫度達到82度后讀取限速5135mb/s，如果主控溫度達到100度，則讀取限速進一步收緊到1350mb/s。在溫度壓力測試的后半段，
讀取速度基本就是在這兩個溫度之間來回切換。
英睿達p5 plus的主控雖然通過金屬層增強了散熱，但溫度依然比較高。溫度讀數(shù)達到77度后讀取限速1660mb/s，溫度降至72度后解除限速，但由于發(fā)熱量大，
全速讀取只能持續(xù)10秒左右就再次因過熱而限速。
致態(tài)tiplus7100在溫度達到73度后進入限速1（大約5000mb/s），達到75度后進入限速2（大約3758mb/s）。在測試過程中代表閃存溫度的溫度2最高只有69度。
西數(shù)sn770在壓力測試中主控溫度讀數(shù)最高可以達到90度（紅外熱成像觀測實際有110度），是五款ssd當中最高的，但同時也是最晚進入過熱限速狀態(tài)的（除了完全不會過熱限速的雷克沙nm760）。
sn770在溫度讀數(shù)達到90時進入限速，速度波動非常頻繁，始終將溫度讀數(shù)控制在85度到90度之間。
雷克沙nm760是五款ssd當中溫度表現(xiàn)最好的一個，在10分鐘滿載壓力測試過程中沒有發(fā)生過熱限速。nm760使用的復(fù)合材質(zhì)標簽?zāi)軌蚱鸬皆龃笊崦娣e的作用，在這里提供了很大的幫助。
最后綜合對比下五款ssd在10分鐘滿載讀取溫度壓力測試過程中的速度曲線：
從高到低分別是：雷克沙nm760（2998630mb）、致態(tài)tiplus7100（2620372mb）、三星980 pro（2549630mb）、西數(shù)sn770（2308086mb）、英睿達p5 plus（1524770mb）。
模擬場景測試：和理論性能測試不同，模擬場景測試通過記錄-回放原來來評估ssd性能，還原了真實應(yīng)用程序?qū)τ脖P的使用方式，因而具備更高的實用價值。
模擬場景測試1：pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準
pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準針對當代最新固態(tài)硬盤的廣泛測試，涵蓋了系統(tǒng)開機啟動、adobe設(shè)計套件應(yīng)用、office辦公套件應(yīng)用、圖片/iso文件拷貝復(fù)制、多個游戲加載過程等測試內(nèi)容。
pcmark 10最多支持對比四組數(shù)據(jù)，我們采用了分別截圖后再拼接的方式進行展現(xiàn)：
pcmark 10完整系統(tǒng)盤基準測試成績從高到低分別是：致態(tài)tiplus7100 1tb、西數(shù)sn770 1tb、英睿達p5 plus 1tb、三星980 pro 1tb、雷克沙nm760 1tb。
導(dǎo)出詳細數(shù)據(jù)分項對比：在游戲加載性能環(huán)節(jié)，致態(tài)tiplus7100的表現(xiàn)穩(wěn)居第一，英睿達p5 plus屈居第二。
windows啟動和adobe設(shè)計軟件啟動性能對比：致態(tài)tiplus7100繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，三星980 pro、英睿達p5 plus和西數(shù)sn770則互有勝負，難分高下。
辦公和設(shè)計軟件使用過程：致態(tài)tiplus7100總體上依舊保持優(yōu)勢，第二名的爭奪在英睿達p5 plus和西數(shù)sn770之間展開。
文件拷貝性能：使用全盤slc策略的西數(shù)sn770趁機在寫入項目上撈分，作為唯一一款7400mb/s滿速pcie 4.0 ssd，致態(tài)tiplus7100在大文件讀取性能上一馬當先，
但零碎小文件讀取則表現(xiàn)欠佳。
模擬場景測試2：3dmark存儲性能測試
3dmark存儲基準測試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15：黑色行動4、守望先鋒三款游戲的啟動加載過程、在運行守望先鋒的同時通過obs記錄1080p游戲視頻、從epic平臺安裝天外世界、天外世界游戲進度保存以及將steam游戲反恐精英：全球攻勢從移動硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程，
3dmark存儲基準測試成績從高到低分別是：致態(tài)tiplus7100 1tb、西數(shù)sn770 1tb、英睿達p5 plus 1tb、三星980 pro 1tb、雷克沙nm760 1tb。
分項目對比，致態(tài)tiplus7100在最影響用戶體驗的游戲加載環(huán)節(jié)占據(jù)首位。寫入較多的移動游戲等環(huán)節(jié)則是西數(shù)sn770發(fā)揮其全盤slc策略的大緩存優(yōu)勢，搶到了不少分數(shù)，
因而能夠超越英睿達p5 plus排在第二位。
實際應(yīng)用測試：模擬場景測試的記錄-回放原理要比純讀純寫的理論讀寫性能測試更貼近實際，然而面對當前ssd普遍使用的持久slc緩存算法毫無作用，無論讀取還是寫入都是全程跑在slc緩存內(nèi)，
未能全面反映ssd在實際使用中的情況（寫入可以被緩存，而讀取通常只能從tlc狀態(tài)讀出），還是存在很大的局限性。所以在下面的實際應(yīng)用測試中，我們盡可能地創(chuàng)造符合實際的測試環(huán)境，探尋ssd真實性能表現(xiàn)。
實際應(yīng)用測試1：最終幻想14 benchmark
最終幻想14 benchmark包含了多個游戲場景加載用時測試。首先是有持久slc緩存影響的情況下，所有數(shù)據(jù)都處于slc狀態(tài)。五款ssd當中，致態(tài)tiplus7100是唯一能跑入7秒內(nèi)的。
接下來通過填盤過50%來迫使ssd釋放之前以slc狀態(tài)保存的最終幻想14 benchmark文件數(shù)據(jù)，并重新進行測試。在排除持久slc緩存對讀取性能的影響之后，致態(tài)tiplus7100依然是最快的。
排除slc緩存影響后的最終幻想14 benchmark成績更能體現(xiàn)ssd在實際游戲加載過程中的表現(xiàn)。
實際應(yīng)用測試2：系統(tǒng)盤克隆測試
這項測試使用分區(qū)助手將320gb容量的系統(tǒng)盤（pcie 4.0 2tb旗艦級型號）遷移到目標盤，記錄用時。
由于是空盤測試，采用全盤slc策略、緩存容量高達360gb的西數(shù)sn770占盡優(yōu)勢。其他四款ssd都涉及緩存外寫入，致態(tài)tiplus7100以3分20秒奪得第二，
三星980pro、雷克沙nm760和英睿達p5 plus分列第三四五名。
實際應(yīng)用測試3：文件復(fù)制測試
這項測試是在事先向盤內(nèi)填充477gb數(shù)據(jù)的半盤狀態(tài)下進行，從pcie 4.0 2tb源盤拷貝一個200gb文件寫入到目標盤內(nèi)，記錄文件復(fù)制用時。
在半盤狀態(tài)下五款ssd的可用slc緩存容量均不足200gb，所以復(fù)制后半段都會遇到tlc直寫，甚至是邊釋放邊寫入（西數(shù)sn770）的降速情況。
拷貝用時從短到長依次是致態(tài)tiplus7100、雷克沙nm760、三星980 pro、西數(shù)sn770、英睿達p5 plus。
由于沒有傲騰作為源盤，slc緩存內(nèi)的寫入速度在源盤這邊其實是存在瓶頸的。這個測試只能作為簡單參考，不具備普遍參考價值，僅僅是因為測試方法簡單、測試結(jié)果直觀而被廣泛采用。
前瞻性測試：direct storage硬盤負載模擬測試
在當前的游戲架構(gòu)下，ssd主要影響場景加載，也就是讀條階段的性能。而在游戲過程中，硬盤存取活動很少。
下圖是對最終幻想14 benchmark測試過程的硬盤活動記錄分析：幾個io活動尖峰出現(xiàn)在場景加載時，存取模式以4k隨機讀取為主，并且隊列深度很低，缺少并發(fā)讀取，難以充分發(fā)揮ssd的潛力。
擁有7000mb/s帶寬的pcie 4.0 ssd，4k單線程隨機讀取只有幾十mb/s，同時還會占用大量cpu資源，這樣的傳輸效率自然無法充分發(fā)揮ssd的優(yōu)勢。
在4k乃至8k游戲時代，高精度紋理貼圖的體積將非常大，內(nèi)存及顯存都面臨容量不足的問題。微軟directstorage希望通過將數(shù)據(jù)讀取單元從4kb提高到32kb，
改單線程隨機讀取為多線程、多隊列深度隨機讀取來提高ssd傳輸效率。讓高精度紋理貼圖在游戲進行過程中實時加載，并允許由顯卡直接處理紋理數(shù)據(jù)解壓。目前direct storage api已經(jīng)基本完善，
首個支持direct storage的游戲預(yù)計將在明年初問世。
在這個前瞻性的測試項目中，我們通過iometer來測試32kb區(qū)塊多線程、高隊列深度隨機讀取性能，模擬direct storage游戲?qū)τ脖P的訪問方式。
32kb q128t8隨機讀取4小時測試結(jié)果如下：
雖然nvme協(xié)議理論上可以支持64k個隊列，每個隊列深度可達64k。但實際上相當多的nvme ssd主控并沒有針對多線程qd128隨機讀取進行充分優(yōu)化。從現(xiàn)實出發(fā)，
direct storage游戲也需要考慮大眾硬件水平，應(yīng)該會避免讓ssd滿載以免系統(tǒng)背景讀寫io卡頓。
預(yù)計初期的direct storage游戲?qū)τ脖P的讀寫壓力應(yīng)該不會超過32kb qd32t2這種水平：
當然，direct storage目前還沒有實際應(yīng)用，我們也無法準確預(yù)測在未來游戲中全高畫質(zhì)對ssd性能的需求有多高。
direct storage是從xbox velocity architecture移植到windows而來，以xbox series x內(nèi)置ssd的性能來看，
大多數(shù)pcie 4.0 ssd應(yīng)該不會有問題。
總結(jié)：
本次測試的五款ssd各有特色，英睿達p5 plus據(jù)猜測是使用7+1p的rain冗余而影響了性能并導(dǎo)致主控發(fā)熱量巨大，但理論上能提供比較好的數(shù)據(jù)保護能力。
雷克沙nm760具備高達1000tbw的寫入耐久度指標，復(fù)合材質(zhì)標簽的降溫效果也不錯。西數(shù)sn770的單顆粒布局放寬了主控的溫度上限。作為最早上市的原廠pcie 4.0 ssd，
三星980 pro老當益壯，在模擬direct storage前瞻性測試中收獲不俗的成績，也說明了其具有扎實的硬件基礎(chǔ)。
saturation概念指引下的長江存儲tiplus7100以晶棧xtacking 3.0技術(shù)為依托，充分發(fā)揮2400mt/s高速閃存接口優(yōu)勢，
在主流級價位提供7400mb/s滿速pcie 4.0旗艦性能，吹響了搶占性能制高點的號角。
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