電腦bios如何設(shè)置內(nèi)存，怎么用BIOS設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟
發(fā)布時(shí)間：2024-02-23 點(diǎn)擊：87
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bios 設(shè)置內(nèi)存 ? 你說的是 把667設(shè)置成 533 或者是400吧? 在bios里面找到 ddr 667 字樣 然后下調(diào) 條到 533 或 400sdram cas latency time（內(nèi)存cas延遲時(shí)間） 可選項(xiàng)：2，3。內(nèi)存cas（column address strobe，列地址選通脈沖）延遲時(shí)間控制sdram內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133mhz頻率下，品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在cas=3下運(yùn)行，在cas=2下運(yùn)行會(huì)使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動(dòng)。cas延遲時(shí)間是一個(gè)非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對(duì)電腦性能的影響比較大，intel與via就pc133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，intel認(rèn)為pc133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運(yùn)行于133mhz頻率、cas=2下，而via認(rèn)為pc133內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于133mhz頻率即可，并未特別指定cas值，因此intel的規(guī)范更加嚴(yán)格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺intel的主板比較挑內(nèi)存。 sdram cycle time tras/trc（內(nèi)存tras/trc時(shí)鐘周期）可選項(xiàng)：5/7，7/9。該參數(shù)用于確定sdram內(nèi)存行激活時(shí)間和行周期時(shí)間的時(shí)鐘周期數(shù)。tras代表sdram行激活時(shí)間（row active time），它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。trc代表sdram行周期時(shí)間（row cycle time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時(shí)內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時(shí)間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在sdram內(nèi)存的工作頻率高于100mhz時(shí)尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。sdram ras-to-cas delay（內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間）可選項(xiàng)：2，3。該參數(shù)可以控制sdram行地址選通脈沖（ras，row address strobe）信號(hào)與列地址選通脈沖信號(hào)之間的延遲。對(duì)sdram進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。（^23030501a^）sdram ras precharge time（內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間）可選項(xiàng)：2，3。該參數(shù)可以控制在進(jìn)行sdram刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時(shí)間設(shè)為2可以提高sdram的性能，但是如果2個(gè)時(shí)鐘周期的預(yù)充電時(shí)間不足，則sdram會(huì)因無法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)步驟很少 但是選項(xiàng)和定義很多 建議你自己研究主板說明書
2，bios中內(nèi)存頻率如何設(shè)置 內(nèi)存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡(jiǎn)單介紹一下。nbsp;1．內(nèi)存同步超頻nbsp;對(duì)于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時(shí)內(nèi)存超頻又與cpu有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整cpu外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出cpu外頻。nbsp;首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，cpu外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升cpu外頻進(jìn)行超頻時(shí)，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與cpu同頻工作，比如我們擁有一個(gè)平臺(tái)，cpu為athlonnbsp;xpnbsp;1800+、kt600主板、ddr266內(nèi)存。athlonnbsp;xpnbsp;1800+默認(rèn)外頻為133mhz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53g，由于athlonnbsp;xpnbsp;1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將athlonnbsp;xpnbsp;1800+外頻提升到166mhz，此時(shí)cpu主頻為166mhz×11.5≈1.9ghz。由于cpu外頻提高到了166mhz，假如你使用的是ddr333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166mhz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是ddr266內(nèi)存，為了滿足cpu超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的ddr266（133mhz）超頻到ddr333（166mhz）使用。nbsp;具體方法是進(jìn)入bios設(shè)置，找到“advancednbsp;chipsetnbsp;features”nbsp;選項(xiàng)，然后會(huì)看到一個(gè)“dramnbsp;clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166mhz”并回車，保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。nbsp;需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機(jī)，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場(chǎng)上普遍常見的現(xiàn)代（hyundai）、三星（samsung）兼容ddr內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能。nbsp;2．內(nèi)存異步超頻nbsp;在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與cpu外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33mhz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。nbsp;對(duì)于支持sdram內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板bios中，可以在“dramnbsp;clock”下找到“hostnbsp;clock”、“hclk-33m”、“hclk+33m”三個(gè)模式。其中hostnbsp;clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，hclk-33m表示總線頻率減少33m，而hclk+33m可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33mhz，比如將賽揚(yáng)1.0g外頻從100mhz超到125mhz，而你的內(nèi)存為pc133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133mhz），此時(shí)在bios的“dramnbsp;clock”下選擇“hclk+33m”，可以讓賽揚(yáng)1.0g工作在125mhz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133mhz頻率下運(yùn)行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。nbsp;而對(duì)于支持ddr內(nèi)存的老主板而言（如845g芯片組），intel規(guī)定845g只支持ddr266（133mhz×2）內(nèi)存，不過有的品牌845g主板在bios中加入內(nèi)存異步功能，在bios中按照4:5的比例進(jìn)行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運(yùn)行在166mhz，從而支持ddr333（166mhz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66gb/s。具體操作方式是：進(jìn)入bios設(shè)置中，進(jìn)入“advancednbsp;chipsetnbsp;features”的“dramnbsp;timingnbsp;setting”選項(xiàng)，然后進(jìn)入“dramnbsp;frequency（內(nèi)存頻率）”選項(xiàng)，在這里可以看到266mhz、320mhz、400mhz、500mhznbsp;auto等選項(xiàng)，直接選中“320mhz”即可。nbsp;一般來說amd的u同步比異步工作要好，而intel就不然.nbsp;3．增加電壓幫助超頻nbsp;內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板bios中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板bios設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05v或0.1v為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越
3，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存 above 1mb memory test：設(shè)置開機(jī)自檢時(shí)是否檢測(cè)1m以上內(nèi)存。該選項(xiàng)已經(jīng)在新的bios中被淘汰。由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機(jī)時(shí)的大容量?jī)?nèi)存自檢時(shí)間太長(zhǎng)，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測(cè)可能也會(huì)出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。 auto configuration：設(shè)置為允許時(shí)，bios按照最佳狀態(tài)設(shè)置。bios可以自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存定時(shí)，因此會(huì)禁止一些對(duì)內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。 memory test tick sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。 memory parity error check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗(yàn)。多在30線內(nèi)存條使用時(shí)代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗(yàn)設(shè)置會(huì)使電腦無法開機(jī)。 cache memory controller：是否使用高速緩存。不在流行的award bios中使用。 shadow ram option：設(shè)置系統(tǒng)bios或顯示卡bios是否映射到常規(guī)內(nèi)存中?？梢约涌焖俣?，但也可能造成死機(jī)。 internal cache memory：是否使用cpu內(nèi)部緩存(一級(jí)緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。 external cache memory：是否使用cpu外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。amd新的具有兩級(jí)緩存的cpu的出現(xiàn)，使主板上的二級(jí)緩存退居成三級(jí)緩存。 concurrent refresh：直譯是同時(shí)發(fā)生的刷新。設(shè)置cpu在對(duì)其它i/o操作時(shí)對(duì)內(nèi)存同時(shí)刷新，可以提高系統(tǒng)性能。 dram read wait state：設(shè)置cpu從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比cpu慢時(shí)可
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2，bios中內(nèi)存頻率如何設(shè)置 內(nèi)存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡(jiǎn)單介紹一下。nbsp;1．內(nèi)存同步超頻nbsp;對(duì)于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時(shí)內(nèi)存超頻又與cpu有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整cpu外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出cpu外頻。nbsp;首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，cpu外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升cpu外頻進(jìn)行超頻時(shí)，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與cpu同頻工作，比如我們擁有一個(gè)平臺(tái)，cpu為athlonnbsp;xpnbsp;1800+、kt600主板、ddr266內(nèi)存。athlonnbsp;xpnbsp;1800+默認(rèn)外頻為133mhz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53g，由于athlonnbsp;xpnbsp;1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將athlonnbsp;xpnbsp;1800+外頻提升到166mhz，此時(shí)cpu主頻為166mhz×11.5≈1.9ghz。由于cpu外頻提高到了166mhz，假如你使用的是ddr333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166mhz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是ddr266內(nèi)存，為了滿足cpu超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的ddr266（133mhz）超頻到ddr333（166mhz）使用。nbsp;具體方法是進(jìn)入bios設(shè)置，找到“advancednbsp;chipsetnbsp;features”nbsp;選項(xiàng)，然后會(huì)看到一個(gè)“dramnbsp;clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166mhz”并回車，保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。nbsp;需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機(jī)，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場(chǎng)上普遍常見的現(xiàn)代（hyundai）、三星（samsung）兼容ddr內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能。nbsp;2．內(nèi)存異步超頻nbsp;在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與cpu外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33mhz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。nbsp;對(duì)于支持sdram內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板bios中，可以在“dramnbsp;clock”下找到“hostnbsp;clock”、“hclk-33m”、“hclk+33m”三個(gè)模式。其中hostnbsp;clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，hclk-33m表示總線頻率減少33m，而hclk+33m可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33mhz，比如將賽揚(yáng)1.0g外頻從100mhz超到125mhz，而你的內(nèi)存為pc133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133mhz），此時(shí)在bios的“dramnbsp;clock”下選擇“hclk+33m”，可以讓賽揚(yáng)1.0g工作在125mhz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133mhz頻率下運(yùn)行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。nbsp;而對(duì)于支持ddr內(nèi)存的老主板而言（如845g芯片組），intel規(guī)定845g只支持ddr266（133mhz×2）內(nèi)存，不過有的品牌845g主板在bios中加入內(nèi)存異步功能，在bios中按照4:5的比例進(jìn)行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運(yùn)行在166mhz，從而支持ddr333（166mhz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66gb/s。具體操作方式是：進(jìn)入bios設(shè)置中，進(jìn)入“advancednbsp;chipsetnbsp;features”的“dramnbsp;timingnbsp;setting”選項(xiàng)，然后進(jìn)入“dramnbsp;frequency（內(nèi)存頻率）”選項(xiàng)，在這里可以看到266mhz、320mhz、400mhz、500mhznbsp;auto等選項(xiàng)，直接選中“320mhz”即可。nbsp;一般來說amd的u同步比異步工作要好，而intel就不然.nbsp;3．增加電壓幫助超頻nbsp;內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板bios中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板bios設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05v或0.1v為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越
3，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存 above 1mb memory test：設(shè)置開機(jī)自檢時(shí)是否檢測(cè)1m以上內(nèi)存。該選項(xiàng)已經(jīng)在新的bios中被淘汰。由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機(jī)時(shí)的大容量?jī)?nèi)存自檢時(shí)間太長(zhǎng)，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測(cè)可能也會(huì)出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。 auto configuration：設(shè)置為允許時(shí)，bios按照最佳狀態(tài)設(shè)置。bios可以自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存定時(shí)，因此會(huì)禁止一些對(duì)內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。 memory test tick sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。 memory parity error check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗(yàn)。多在30線內(nèi)存條使用時(shí)代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗(yàn)設(shè)置會(huì)使電腦無法開機(jī)。 cache memory controller：是否使用高速緩存。不在流行的award bios中使用。 shadow ram option：設(shè)置系統(tǒng)bios或顯示卡bios是否映射到常規(guī)內(nèi)存中?？梢约涌焖俣?，但也可能造成死機(jī)。 internal cache memory：是否使用cpu內(nèi)部緩存(一級(jí)緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。 external cache memory：是否使用cpu外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。amd新的具有兩級(jí)緩存的cpu的出現(xiàn)，使主板上的二級(jí)緩存退居成三級(jí)緩存。 concurrent refresh：直譯是同時(shí)發(fā)生的刷新。設(shè)置cpu在對(duì)其它i/o操作時(shí)對(duì)內(nèi)存同時(shí)刷新，可以提高系統(tǒng)性能。 dram read wait state：設(shè)置cpu從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比cpu慢時(shí)可
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